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FQB3N60	文件：581.81 Kbytes Page：9 Pages	600V N-Channel MOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQB3N60	文件：660.97 Kbytes Page：4 Pages	This N-channel MOSFETS use advanced trench technology and design to provide excellent RDS(on) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications.	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
FQB3N60C	文件：753.45 Kbytes Page：8 Pages	600V N-Channel MOSFET Description TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhig	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQB3N60CTM	文件：753.45 Kbytes Page：8 Pages	600V N-Channel MOSFET Description TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhig	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQB3N60C	文件：869.48 Kbytes Page：8 Pages	600V N-Channel MOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQB3N60C_0605	文件：869.48 Kbytes Page：8 Pages	600V N-Channel MOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQB3N60CTM	文件：869.48 Kbytes Page：8 Pages	600V N-Channel MOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

详细参数

型号：
FQB3N60
制造商：
FAIRCHILD
制造商全称：
Fairchild Semiconductor
功能描述：
600V N-Channel MOSFET

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更多FQB3N60供应商更新时间2025-7-24 17:41:00

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