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FQB3N30	文件：724.04 Kbytes Page：9 Pages	300V N-Channel MOSFET Features •3.2A,300V,RDS(on)=2.2Ω@VGS=10V •Lowgatecharge(typical5.5nC) •LowCrss(typical6.0pF) •Fastswitching •100avalanchetested •Improveddv/dtcapability	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQD3N30	文件：305.62 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=2.4A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=2.2Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FQD3N30	文件：740.48 Kbytes Page：9 Pages	300VN-ChannelMOSFET 300VN-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQI3N30	文件：724.04 Kbytes Page：9 Pages	300VN-ChannelMOSFET Features •3.2A,300V,RDS(on)=2.2Ω@VGS=10V •Lowgatecharge(typical5.5nC) •LowCrss(typical6.0pF) •Fastswitching •100avalanchetested •Improveddv/dtcapability	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQP3N30	文件：301.87 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=3.2A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=300V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=2.2Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FQP3N30	文件：708.04 Kbytes Page：8 Pages	300VN-ChannelMOSFET 300VN-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQPF3N30	文件：720.6 Kbytes Page：8 Pages	300VN-ChannelMOSFET Features •1.95A,300V,RDS(on)=2.2Ω@VGS=10V •Lowgatecharge(typical5.5nC) •LowCrss(typical6.0pF) •Fastswitching •100avalanchetested •Improveddv/dtcapability	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQU3N30	文件：740.48 Kbytes Page：9 Pages	300VN-ChannelMOSFET 300VN-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQU3N30	文件：330.61 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=2.4A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=300V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=2.2Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
HM3N30PR	文件：1.79686 Mbytes Page：10 Pages	SiliconN-ChannelPowerMOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI

详细参数

型号：
FQB3N30
制造商：
FAIRCHILD
制造商全称：
Fairchild Semiconductor
功能描述：
300V N-Channel MOSFET

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市河锋鑫科技有限公司	FQB3N30	FAIRCHILD/仙童	17+	TO-263(D2PAK)	31518	原装正品可含税交易	询价
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更多FQB3N30供应商更新时间2025-7-14 14:00:00

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