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STD3N30L	文件：170.51 Kbytes Page：10 Pages	N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR ■ TYPICAL RDS(on) = 1.15 Ω ■ AVALANCHE RUGGED TECHNOLOGY ■ 100 AVALANCHE TESTED ■ REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100°C ■ APPLICATION ORIENTED CHARACTERIZATION ■ THROUGH-HOLE IPAK (TO-251) POWER PACKAGE IN TUBE (SUFFIX ”-1”) ■ SURFACE-MOUNTING 文件：170.51 Kbytes 页数：10 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STD3N30L	文件：300 bytes Page：1 Pages	N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR	ST 意法半导体	ST
UF3N30	文件：134.92 Kbytes Page：3 Pages	3A, 300V N-CHANNEL POWER MOSFET 文件：134.92 Kbytes 页数：3 Pages	UTC 友顺	UTC
UF3N30Z	文件：148.21 Kbytes Page：3 Pages	3A, 300V N-CHANNEL POWER MOSFET 文件：148.21 Kbytes 页数：3 Pages	UTC 友顺	UTC

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	STD3N30L		24+	N/A	1420		询价
深圳市威尔健半导体有限公司	STD3N30L	NEXPERIA/安世	23+	SOT360-1	69820	终端可以免费供样,支持BOM配单!	询价
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深圳市澳亿芯电子科技有限公司	STD3N30L	ST	25+	TO-252/D-PAK	32500	普通	询价
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更多STD3N30L供应商更新时间2026-1-17 16:01:00