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STD3N95K5AG

Automotive-grade N-channel 950 V, 4.3 typ., 2 A MDmesh K5 Power MOSFET in a DPAK package

Features • AEC-Q101 qualified • Industry’s lowest RDS(on) x area • Industry’s best FoM (figure of merit) • Ultra-low gate charge • 100 avalanche tested • Zener-protected Description This very high voltage N-channel Power MOSFET is designed using MDmesh K5 technology based on an innovati

文件:361.3 Kbytes 页数:15 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STD3N95K5AG

汽车级N沟道950 V、4.3 Ohm典型值、2 A MDmesh K5功率MOSFET,DPAK封装

这款超高压N-沟道功率MOSFET采用MDmesh™ K5技术进行设计。该技术以创新专有的垂直工艺为基础。因此,在要求高功率密度和高效率的应用中,导通电阻显著降低,并具有极低的栅极电荷。 • 通过AEC-Q101认证 \n• 业界领先的低RDS(on) x 面积 \n• 业界出色的品质因数(FoM) \n• 极低的栅极电荷 \n• 经过100%雪崩测试 \n• 稳压保护;

ST

意法半导体

TPSTD3N95K5AG

950V N-Channel MOSFET

Application » Adaptor « Charger « Power management o SMPS Standby Power

文件:2.94304 Mbytes 页数:5 Pages

TECHPUBLIC

台舟电子

STD3NK60ZT4

ST
TO-252

ST

STD4N80K5

ST
TO-252

ST

技术参数

  • Package:

    DPAK

  • Grade:

    Automotive

  • VDSS(V):

    950

  • RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω):

    5

  • Drain Current (Dc)_max(A):

    2

  • PTOT_max(W):

    45

  • Qg_typ(nC):

    3.4

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更多STD3N95K5AG供应商 更新时间2025-10-5 16:30:00