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STD3NM60T4	文件：723.01 Kbytes Page：17 Pages	N-channel 600 V, 1.3 ?? 3 A TO-220, DPAK, IPAK Zener-protected MDmesh??Power MOSFET DESCRIPTION TheMDmesh™isanewrevolutionaryMOSFETtechnologythatassociatestheMultipleDrainprocesswiththeCompany’sPowerMESH™horizontallayout.Theresultingproducthasanoutstandinglowon-resistance,impressivelyhighdv/dtandexcellentavalanchecharacteristics. ■TYPICAL	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS

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STD3NM60T4

文件：723.01 Kbytes

Page：17 Pages

N-channel 600 V, 1.3 ?? 3 A TO-220, DPAK, IPAK Zener-protected MDmesh??Power MOSFET

DESCRIPTION TheMDmesh™isanewrevolutionaryMOSFETtechnologythatassociatestheMultipleDrainprocesswiththeCompany’sPowerMESH™horizontallayout.Theresultingproducthasanoutstandinglowon-resistance,impressivelyhighdv/dtandexcellentavalanchecharacteristics. ■TYPICAL

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

STMICROELECTRONICS

详细参数

型号：
STD3NM60T4
功能描述：
MOSFET N-Ch 600 Volt 3 Amp Power MDmesh
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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