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STD44N4LF6	文件：300 bytes Page：1 Pages	N沟道40 V、8.9 mOhm、44 A STripFET(TM) VI DeepGATE(TM) 功率MOSFET，DPAK封装 This device is an N-channel Power MOSFET developed using the 6th generation of STripFET™ DeepGATE™ technology, with a new gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits the lowest RDS(on)in all packages. • 100% avalanche tested \n• Logic level drive;	ST 意法半导体	ST
STD44N4LF6	文件：1.00144 Mbytes Page：15 Pages	N-channel 40 V, 8.9 m廓, 44 A DPAK STripFET??VI DeepGATE??Power MOSFET 文件：1.00144 Mbytes 页数：15 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
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STD4N90K5	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-252-3	ST 上传：天津市博通航睿技术有限公司	ST
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更多STD44N4LF6供应商更新时间2026-7-28 14:14:00