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STD3NM60T4中文资料意法半导体数据手册PDF规格书

STD3NM60T4
厂商型号

STD3NM60T4

功能描述

N-channel 600 V, 1.3 ?? 3 A TO-220, DPAK, IPAK Zener-protected MDmesh??Power MOSFET

文件大小

723.01 Kbytes

页面数量

17

生产厂商 STMicroelectronics
企业简称

STMICROELECTRONICS意法半导体

中文名称

意法半导体集团官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-25 11:28:00

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STD3NM60T4规格书详情

DESCRIPTION

The MDmesh™ is a new revolutionary MOSFET technology that associates the Multiple Drain process with the Company’s PowerMESH™ horizontal layout. The resulting product has an outstanding low on-resistance, impressively high dv/dt and excellent avalanche characteristics.

■ TYPICAL RDS(on) = 1.3 Ω

■ HIGH dv/dt AND AVALANCHE CAPABILITIES

■ IMPROVED ESD CAPABILITY

■ LOW INPUT CAPACITANCE AND GATE

CHARGE

■ LOW GATE INPUT RESISTANCE

■ TIGHT PROCESS CONTROL AND HIGH

MANUFACTORING YIELDS

APPLICATIONS

The MDmesh™ family is very suitable for increase

the power density of high voltage converters allowing

system miniaturization and higher efficiencies.

产品属性

  • 型号:

    STD3NM60T4

  • 功能描述:

    MOSFET N-Ch 600 Volt 3 Amp Power MDmesh

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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