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FQD3N30

300V N-Channel MOSFET

300V N-Channel MOSFET

文件:740.48 Kbytes 页数:9 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

FQD3N30

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID=2.4A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS=200V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) =2.2Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

文件:305.62 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

FQD3N30

300V N-Channel MOSFET

ONSEMI

安森美半导体

FQI3N30

300V N-Channel MOSFET

Features • 3.2A, 300V, RDS(on) = 2.2Ω @VGS = 10 V • Low gate charge ( typical 5.5 nC) • Low Crss ( typical 6.0 pF) • Fast switching • 100 avalanche tested • Improved dv/dt capability

文件:724.04 Kbytes 页数:9 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

FQP3N30

300V N-Channel MOSFET

300V N-Channel MOSFET

文件:708.04 Kbytes 页数:8 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

FQP3N30

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID=3.2A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS=300V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) =2.2Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

文件:301.87 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

详细参数

  • 型号:

    FQD3N30

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH/300V/2.4A/2.2OHM

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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