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FQI3N30	文件：724.04 Kbytes Page：9 Pages	300V N-Channel MOSFET Features • 3.2A, 300V, RDS(on) = 2.2Ω @VGS = 10 V • Low gate charge ( typical 5.5 nC) • Low Crss ( typical 6.0 pF) • Fast switching • 100 avalanche tested • Improved dv/dt capability 文件：724.04 Kbytes 页数：9 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
FQI3N30TU	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET N-CH 300V 3.2A I2PAK	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FQP3N30	文件：708.04 Kbytes Page：8 Pages	300V N-Channel MOSFET 300V N-Channel MOSFET 文件：708.04 Kbytes 页数：8 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
FQP3N30	文件：301.87 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID=3.2A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS=300V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) =2.2Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：301.87 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
FQPF3N30	文件：720.6 Kbytes Page：8 Pages	300V N-Channel MOSFET Features • 1.95A, 300V, RDS(on) = 2.2Ω @VGS = 10 V • Low gate charge ( typical 5.5 nC) • Low Crss ( typical 6.0 pF) • Fast switching • 100 avalanche tested • Improved dv/dt capability 文件：720.6 Kbytes 页数：8 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多FQI3N30供应商更新时间2025-12-15 16:30:00