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4N60	文件：152.4 Kbytes Page：8 Pages	4Amps,600VoltsN-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION TheUTC4N60isahighvoltagepowerMOSFETandisdesignedtohavebettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowgatecharge,lowon-stateresistanceandhaveahighruggedavalanchecharacteristics.ThispowerMOSFETisusuallyusedathighspeedswitchingapplicationsi	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司
4N60	文件：543.79 Kbytes Page：5 Pages	4Amps竊?00VoltsN-ChannelMOSFET	ESTEKEstek Electronics Co. Ltd Estek Electronics Co. Ltd
4N60	文件：397.76 Kbytes Page：8 Pages	4Amps,600/650VoltsN-CHANNELPOWERMOSFET	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司
4N60	文件：987.64 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	ARTSCHIP ARTSCHIP ELECTRONICS CO.,LMITED.
4N60	文件：607.6 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFET	ZSELECZibo Seno Electronic Engineering Co.,Ltd 淄博圣诺电子淄博圣诺电子工程有限公司
4N60	文件：2.51249 Mbytes Page：10 Pages	600VN-ChannelPowerMOSFET	DYELECDIYI Electronic Technology Co., Ltd. 迪一电子山东迪一电子科技有限公司
4N60	文件：157 Kbytes Page：2 Pages	AvalancheEnergySpecified	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
4N60	文件：408.85 Kbytes Page：9 Pages	4A,600VN-CHANNELPOWERMOSFET	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司
4N60	文件：2.76231 Mbytes Page：9 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFET	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司
4N60	文件：2.94341 Mbytes Page：3 Pages	TO-251Plastic-EncapsulateMOSFET	HDSEMIJiangsu High diode Semiconductor Co., Ltd 苏海德半导体苏海德半导体有限公司
4N60	文件：200.75 Kbytes Page：2 Pages	4Amps,600VoltsN-CHANNELMOSFET	CHONGQINGCHONGQING PINGYANG ELECTRONICS CO.,LTD 重庆平伟实业重庆平伟实业股份有限公司
4N60	文件：479.31 Kbytes Page：10 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	NELLSEMINell Semiconductor Co., Ltd 尼爾半導體尼爾半導體股份有限公司
4N60	文件：376.13 Kbytes Page：8 Pages	4A,600VN-CHANNELPOWERMOSFET	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司
4N60	文件：1.09859 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
4N60	文件：432.12 Kbytes Page：9 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司
4N60	文件：1.81615 Mbytes Page：9 Pages	N-channelpowerMOStube Features VDS(V)=600V RDS(ON)≤2.4(VGS=10V) *ID=4.0A	UMWUMW 友台友台半导体
4N60A	文件：1.06546 Mbytes Page：7 Pages	4A600VN-channelenhancedfieldeffecttransistor	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司
4N60AS	文件：284.18 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
4N60B	文件：890.05 Kbytes Page：10 Pages	600VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstan	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
4N60C	文件：1.07614 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司

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详细参数

型号：
FQI4N60TU
功能描述：
MOSFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市特顺芯科技有限公司	FQI4N80	FAIRCHILD	08+(pbfree)	TO-262(I2PAK)	8866		询价
深圳市星佑电子有限公司	FQI4N80	仙童	06+	TO-262	2500	原装库存	询价
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更多FQI4N60TU供应商更新时间2024-4-28 16:30:00

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