600V N-Channel MOSFET

General Description These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and w

文件：621.43 Kbytes 页数：9 Pages

Fairchild

仙童半导体

N-Channel QFET짰 MOSFET 600 V, 4.5 A, 2.5 廓

文件：487.23 Kbytes 页数：8 Pages

Fairchild

仙童半导体

N-Channel QFET짰 MOSFET 600 V, 4.5 A, 2.5 廓

文件：487.23 Kbytes 页数：8 Pages

Fairchild

仙童半导体

N 沟道 QFET® MOSFET 600 V、4.5 A、2.5 Ω

该 N 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关电源、有源功率因数校正（PFC）及电子镇流器。. •4.5 A、600 V、RDS(on)= 2.5 Ω（最大值），需 VGS = 10 V、ID = 2.25 A栅极电荷低（典型值：15nC)\n•低 Crss（典型值6.5pF)\n•100% 经过雪崩击穿测试\n•100% avalanche tested;

ONSEMI

安森美半导体