FQI5N60C中文资料N 沟道 QFET® MOSFET 600 V、4.5 A、2.5 Ω数据手册ONSEMI规格书
FQI5N60C规格书详情
描述 Description
该 N 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻,并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关电源、有源功率因数校正(PFC)及电子镇流器。.
特性 Features
•4.5 A、600 V、RDS(on)= 2.5 Ω(最大值),需 VGS = 10 V、ID = 2.25 A栅极电荷低(典型值:15nC)
•低 Crss(典型值6.5pF)
•100% 经过雪崩击穿测试
•100% avalanche tested
应用 Application
• 照明
技术参数
- 制造商编号
:FQI5N60C
- 生产厂家
:ONSEMI
- Pb-free
:Pb
- Halide free
:H
- Status
:Active
- Channel Polarity
:N-Channel
- Configuration
:Single
- V(BR)DSS Min (V)
:600
- VGS Max (V)
:±30
- VGS(th) Max (V)
:4
- ID Max (A)
:4.5
- PD Max (W)
:100
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
:-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
:-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
:2500
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
:-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
:15
- Ciss Typ (pF)
:515
- Package Type
:I2PAK-3/D2PAK-3 STRAIGHT LEAD
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
TO262 |
9600 |
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询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
TO-262(I2PAK) |
505348 |
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询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
TO-262 |
197 |
原装正品,假一罚十! |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
FAIRCHILD/仙童 |
2223+ |
I2PAK-3TO262 |
26800 |
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询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
2447 |
TO262 |
100500 |
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FAIRC |
23+ |
TO-262(I2PAK) |
7300 |
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ON |
2022+ |
I2PAK-3 / D2PAK-3 STRAIGHT LEA |
38550 |
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询价 | ||
仙童 |
05+ |
TO-262 |
2500 |
原装进口 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
25+23+ |
TO262 |
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