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FQI5N60C中文资料N 沟道 QFET® MOSFET 600 V、4.5 A、2.5 Ω数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

FQI5N60C

功能描述

N 沟道 QFET® MOSFET 600 V、4.5 A、2.5 Ω

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-23 15:16:00

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FQI5N60C规格书详情

描述 Description

该 N 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻,并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关电源、有源功率因数校正(PFC)及电子镇流器。.

特性 Features

•4.5 A、600 V、RDS(on)= 2.5 Ω(最大值),需 VGS = 10 V、ID = 2.25 A栅极电荷低(典型值:15nC)
•低 Crss(典型值6.5pF)
•100% 经过雪崩击穿测试
•100% avalanche tested

应用 Application

• 照明

技术参数

  • 制造商编号

    :FQI5N60C

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :600

  • VGS Max (V)

    :±30

  • VGS(th) Max (V)

    :4

  • ID Max (A)

    :4.5

  • PD Max (W)

    :100

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :2500

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :15

  • Ciss Typ (pF)

    :515

  • Package Type

    :I2PAK-3/D2PAK-3 STRAIGHT LEAD

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