FQI50N06中文资料N 沟道 QFET® MOSFET 60V,50A,22mΩ数据手册ONSEMI规格书
FQI50N06规格书详情
描述 Description
该 N 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻,并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。
特性 Features
•50A, 60V, RDS(on)= 22mΩ(最大值)@VGS = 10 V, ID = 25A栅极电荷低(典型值:31nC)
•低 Crss(典型值65pF)
•100% 经过雪崩击穿测试
•175°C最大结温额定值\"
• 175°C maximum junction temperature rating
应用 Application
• 其他工业
技术参数
- 制造商编号
:FQI50N06
- 生产厂家
:ONSEMI
- Pb-free
:Pb
- Halide free
:H
- Status
:Active
- Channel Polarity
:N-Channel
- Configuration
:Single
- V(BR)DSS Min (V)
:60
- VGS Max (V)
:±20
- VGS(th) Max (V)
:4
- ID Max (A)
:50
- PD Max (W)
:120
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
:-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
:-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
:22
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
:-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
:31
- Ciss Typ (pF)
:1180
- Package Type
:I2PAK-3/D2PAK-3 STRAIGHT LEAD
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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