FQI50N06数据手册ONSEMI中文资料规格书
FQI50N06规格书详情
描述 Description
该 N 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。
特性 Features
•50A, 60V, RDS(on)= 22mΩ（最大值）@VGS = 10 V, ID = 25A栅极电荷低（典型值：31nC)
•低 Crss（典型值65pF)
•100% 经过雪崩击穿测试
•175°C最大结温额定值\"
• 175°C maximum junction temperature rating
应用 Application
• 其他工业
技术参数
- 制造商编号
：FQI50N06
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：60
- VGS Max (V)
：±20
- VGS(th) Max (V)
：4
- ID Max (A)
：50
- PD Max (W)
：120
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：22
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：31
- Ciss Typ (pF)
：1180
- Package Type
：I2PAK-3/D2PAK-3 STRAIGHT LEAD
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
onsemi(安森美) |
24+ |
I2PAK(TO262) |
7350 |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
22+ |
TO-262 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
TO262 |
54648 |
百分百原装现货 实单必成 欢迎询价 |
询价 | ||
国产替代 |
2010+ |
TO-220 |
100000 |
全新原装进口自己库存优势 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
NA |
990000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
21+ |
TO262 |
1139 |
询价 | |||
FSC/ON |
23+ |
原包装原封 □□ |
841 |
原装进口特价供应 特价，原装元器件供应，支持开发样品 更多详细咨询 库存 |
询价 | ||
ON/安森美 |
25+ |
25000 |
原厂原包 深圳现货 主打品牌 假一赔百 可开票! |
询价 | |||
22+ |
5000 |
询价 | |||||
Fairchild(飞兆/仙童) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
询价 |
