首页>FQI50N06>规格书详情

FQI50N06中文资料N 沟道 QFET® MOSFET 60V,50A,22mΩ数据手册ONSEMI规格书

PDF无图
厂商型号

FQI50N06

功能描述

N 沟道 QFET® MOSFET 60V,50A,22mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

下载地址下载地址二

更新时间

2025-9-23 15:24:00

人工找货

FQI50N06价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货

FQI50N06规格书详情

描述 Description

该 N 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻,并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。

特性 Features

•50A, 60V, RDS(on)= 22mΩ(最大值)@VGS = 10 V, ID = 25A栅极电荷低(典型值:31nC)
•低 Crss(典型值65pF)
•100% 经过雪崩击穿测试
•175°C最大结温额定值\"
• 175°C maximum junction temperature rating

应用 Application

• 其他工业

技术参数

  • 制造商编号

    :FQI50N06

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :60

  • VGS Max (V)

    :±20

  • VGS(th) Max (V)

    :4

  • ID Max (A)

    :50

  • PD Max (W)

    :120

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :22

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :31

  • Ciss Typ (pF)

    :1180

  • Package Type

    :I2PAK-3/D2PAK-3 STRAIGHT LEAD

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Fairchild(飞兆/仙童)
23+
NA
20094
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持
询价
FAIRCHILD/仙童
22+
I2-PAKTO-262
18000
原装正品
询价
FAIRCHILD/仙童
24+
TO262
9600
原装现货,优势供应,支持实单!
询价
FAIRCHILD/仙童
23+
I2-PAKTO-262
24190
原装正品代理渠道价格优势
询价
FSC
2015+
TO-220
19898
专业代理原装现货,特价热卖!
询价
FAIRCHILD/仙童
25+
TO262
54648
百分百原装现货 实单必成 欢迎询价
询价
三年内
1983
只做原装正品
询价
ON SEMICONDUCTOR
50
询价
ON SEMICONDUCTOR
24+
con
50
现货常备产品原装可到京北通宇商城查价格
询价
FAIRCHILD/仙童
2447
TO262
100500
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货
询价