FQI4N80中文资料800V N沟道QFET®数据手册ONSEMI规格书
FQI4N80规格书详情
描述 Description
该 N 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体®的专有平面条形和 DMOS 技术生产。 这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。 这些器件适用于开关电源、有源功率因数校正（PFC）及照明灯电子镇流器。
特性 Features
•3.9A，800V，RDS(on)= 3.6Ω（最大值）（VGS = 10 V 且 ID = 2.75A 时）
•低栅极电荷（典型值 19nC)
•低 Crss（典型值 8.6pF)
•100% 经过雪崩击穿测试
应用 Application
• 其他工业
技术参数
- 制造商编号
：FQI4N80
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：800
- VGS Max (V)
：±30
- VGS(th) Max (V)
：5
- ID Max (A)
：3.9
- PD Max (W)
：130
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：3600
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：19
- Ciss Typ (pF)
：680
- Package Type
：I2PAK-3/D2PAK-3 STRAIGHT LEAD
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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FAIRCHILD/仙童 |
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I2-PAKTO-262 |
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