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FQI5N15	文件：765.37 Kbytes Page：9 Pages	150V N-Channel MOSFET Features •4.5A,500V,RDS(on)=1.8Ω@VGS=10V •Lowgatecharge(typical13nC) •LowCrss(typical8.5pF) •Fastswitching •100avalanchetested •Improveddv/dtcapability	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQP5N15	文件：717.93 Kbytes Page：8 Pages	150VN-CHANNELMOSFET 150VN-CHANNELMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQPF5N15	文件：748.45 Kbytes Page：8 Pages	150VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproductusingFairchildsproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancetechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstan	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQU5N15	文件：750.2 Kbytes Page：9 Pages	150VN-ChannelMOSFET 150VN-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQU5N15	文件：329.85 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=4.3A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=150V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.8Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
KSMU5N15	文件：1.36945 Mbytes Page：8 Pages	150VN-CHANNELMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
SSM5N15FE	文件：176.25 Kbytes Page：5 Pages	HighSpeedSwitchingApplications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
SSM5N15FE	文件：150.04 Kbytes Page：5 Pages	HighSpeedSwitchingApplicationsAnalogSwitchApplications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
SSM5N15FU	文件：185.22 Kbytes Page：5 Pages	HighSpeedSwitchingApplications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
SSM5N15FU	文件：180.89 Kbytes Page：5 Pages	HighSpeedSwitchingApplications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA

详细参数

型号：
FQI5N15
制造商：
FAIRCHILD
制造商全称：
Fairchild Semiconductor
功能描述：
150V N-Channel MOSFET

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多FQI5N15供应商更新时间2025-5-16 16:30:00

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