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FQI9N30	文件：647.96 Kbytes Page：9 Pages	300V N-Channel MOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
DAM9N30S	文件：251.58 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	DACO DACO
FQB9N30	文件：647.96 Kbytes Page：9 Pages	300VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FQP9N30	文件：637.9 Kbytes Page：8 Pages	300VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FQP9N30	文件：296.85 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=9.0A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=300V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.45Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
FQPF9N30	文件：278.81 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=6.0A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.45Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
FQPF9N30	文件：661.03 Kbytes Page：8 Pages	300VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
IRFB9N30A	文件：137.03 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=300V,Rds(on)=0.45ohm,Id=9.3A) Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220packageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpower	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRFB9N30A	文件：176.03 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技
IRFB9N30APBF	文件：176.03 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技
IRFB9N30APBF	文件：128.639 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET짰PowerMOSFET Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationofastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowonresistanceandcost-effectiveness. TheTO-220packageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatlowerdi	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
SIHFB9N30A	文件：176.03 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技

详细参数

型号：
FQI9N30
功能描述：
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 300V V(BR)DSS | 9A I(D) | TO-262AA

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更多FQI9N30供应商更新时间2024-4-23 14:51:00

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