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FQI6N40C	文件：663.15 Kbytes Page：9 Pages	400V N-Channel MOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
6N40	文件：189.38 Kbytes Page：6 Pages	6A,400VN-CHANNELPOWERMOSFET	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司
6N40	文件：169.59 Kbytes Page：6 Pages	6Amps,400VoltsN-CHANNELPOWERMOSFET	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司
6N40	文件：52.05 Kbytes Page：2 Pages	FastSwitchingSpeed	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
6N40C	文件：851.97 Kbytes Page：10 Pages	400VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
6N40K-TA	文件：204.6 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFET	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司
FIR6N40BPG	文件：2.73661 Mbytes Page：9 Pages	400VN-ChannelMOSFET	FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd. 福斯特半导体深圳市福斯特半导体有限公司
FIR6N40FG	文件：2.91022 Mbytes Page：8 Pages	400VN-ChannelMOSFET-T	FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd. 福斯特半导体深圳市福斯特半导体有限公司
FIR6N40LG	文件：2.73661 Mbytes Page：9 Pages	400VN-ChannelMOSFET	FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd. 福斯特半导体深圳市福斯特半导体有限公司
FQB6N40	文件：761.04 Kbytes Page：9 Pages	400VN-ChannelMOSFET Features •5.5A,400V,RDS(on)=1.15Ω@VGS=10V •Lowgatecharge(typically13nC) •LowCrss(typically9.5pF) •Fastswitching •100avalanchetested •Improveddv/dtcapability	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FQB6N40C	文件：663.15 Kbytes Page：9 Pages	400VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FQB6N40C	文件：287.57 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=6A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=400V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=1Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
FQB6N40CF	文件：1.01698 Mbytes Page：8 Pages	400VN-ChannelMOSFET Description TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhig	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FQB6N40CFTM	文件：1.01698 Mbytes Page：8 Pages	400VN-ChannelMOSFET Description TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhig	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FQD6N40	文件：773.03 Kbytes Page：9 Pages	400VN-ChannelMOSFET Features •4.2A,400V,RDS(on)=1.15Ω@VGS=10V •Lowgatecharge(typical13nC) •LowCrss(typical9.5pF) •Fastswitching •100avalanchetested •Improveddv/dtcapability	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FQD6N40C	文件：623.6 Kbytes Page：9 Pages	400VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FQD6N40C	文件：305.28 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=4.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=400V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=1Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
FQI6N40	文件：761.04 Kbytes Page：9 Pages	400VN-ChannelMOSFET Features •5.5A,400V,RDS(on)=1.15Ω@VGS=10V •Lowgatecharge(typically13nC) •LowCrss(typically9.5pF) •Fastswitching •100avalanchetested •Improveddv/dtcapability	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FQP6N40	文件：736.39 Kbytes Page：8 Pages	400VN-ChannelMOSFET 400VN-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FQP6N40C	文件：851.97 Kbytes Page：10 Pages	400VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

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详细参数

型号：
FQI6N40C
制造商：
FAIRCHILD
制造商全称：
Fairchild Semiconductor
功能描述：
400V N-Channel MOSFET

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市特顺芯科技有限公司	FQI6N40C	FAIRCHILD	08+(pbfree)	TO-262(I2PAK)	8866		询价
深圳市星佑电子有限公司	FQI6N40C	仙童	06+	TO-262	2500	原装	询价
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更多FQI6N40C供应商更新时间2024-4-28 16:30:00

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