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FQP6N40	文件：736.39 Kbytes Page：8 Pages	400V N-Channel MOSFET 400VN-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FQP6N40C	文件：851.97 Kbytes Page：10 Pages	400V N-Channel MOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FQP6N40C	文件：296.02 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=6A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=400V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=1.0Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
FQP6N40C	文件：300 bytes Page：1 Pages	功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，400 V，6 A，1.0 Ω，TO-220 该 N 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关电源、有源功率因数校正（PFC）及照明灯电子镇流器。; •6A, 400V, RDS(on)= 1.0Ω（最大值） @VGS = 10 V, ID = 3A栅极电荷低（典型值：16nC)\n•低 Crss（典型值15pF)\n•100% 经过雪崩击穿测试\n•100% avalanche tested\n;	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FQP6N40CF	文件：1.06342 Mbytes Page：8 Pages	400V N-Channel MOSFET Description TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhig	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FQP6N40CF	文件：1.07078 Mbytes Page：10 Pages	400V N-Channel MOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FQP6N40CF_06	文件：1.07078 Mbytes Page：10 Pages	400V N-Channel MOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FQP6N40CF_12	文件：1.1984 Mbytes Page：10 Pages	400V N-Channel MOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

技术参数

Pb-free：
Pb
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
400
VGS Max (V)：
±30
VGS(th) Max (V)：
4
ID Max (A)：
6
PD Max (W)：
73
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
1000
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
16
Ciss Typ (pF)：
480
Package Type：
TO-220-3

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