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FQI9N15TU	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET N-CH 150V 9A I2PAK	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FQP9N15	文件：768.11 Kbytes Page：8 Pages	150V N-Channel MOSFET 150V N-Channel MOSFET 文件：768.11 Kbytes 页数：8 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FQP9N15	文件：296.62 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID=9.0A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS=150V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) =0.4Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：296.62 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
FQPF9N15	文件：755.61 Kbytes Page：8 Pages	150V N-Channel MOSFET 150V N-Channel MOSFET 文件：755.61 Kbytes 页数：8 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD

详细参数

型号：
FQI9N15TU
功能描述：
MOSFET 150V Single
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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