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FQD3P50	文件：638.08 Kbytes Page：9 Pages	500V P-Channel MOSFET General Description These P-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and w 文件：638.08 Kbytes 页数：9 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FQD3P50TM	文件：766.8 Kbytes Page：9 Pages	500V P-Channel MOSFET General Description These P-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and w 文件：766.8 Kbytes 页数：9 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
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详细参数

型号：
FQB3P50TM
功能描述：
MOSFET 500V P-Channel QFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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