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FQB3P50TM	文件：651.06 Kbytes Page：9 Pages	500V P-Channel MOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQD3P50	文件：638.08 Kbytes Page：9 Pages	500VP-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseP-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andw	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
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FQI3P50	文件：645.58 Kbytes Page：9 Pages	500VP-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseP-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQP3P50	文件：787.78 Kbytes Page：8 Pages	iscP-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=-2.7A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=-500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=4.9Ω(Max)@VGS=-10V DESCRIPTION ·Combinewiththefastswitchingspeedandruggedizeddevice design,providethedesignerwithanextremelyefficientand reli	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FQP3P50	文件：640.4 Kbytes Page：8 Pages	500VP-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseP-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
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FQU3P50	文件：638.08 Kbytes Page：9 Pages	500VP-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseP-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andw	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
GV3P50	文件：179.25 Kbytes Page：8 Pages	Motorcircuitbreaker,TeSysGV3,3P,37-50A	SCHNEIDERSchneider Electric 施耐德施耐德电气	SCHNEIDER

详细参数

型号：
FQB3P50TM
功能描述：
MOSFET 500V P-Channel QFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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