选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
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FAIRCHILD/仙童2 |
6500 |
23+ |
专注配单,只做原装进口现货 |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
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6500 |
23+ |
专注配单,只做原装进口现货 |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
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FAIRCHILD/仙童6500 |
2 |
23+ |
专注配单,只做原装进口现货 |
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FQB44N08TM图片
FQB44N08TM中文资料Alldatasheet PDF
更多FQB44N08TM功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube