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FQP3P50	文件：640.4 Kbytes Page：8 Pages	500V P-Channel MOSFET GeneralDescription TheseP-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
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FQD3P50TM	文件：766.8 Kbytes Page：9 Pages	500VP-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseP-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andw	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
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FQPF3P50	文件：620.44 Kbytes Page：8 Pages	500VP-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseP-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FQU3P50	文件：638.08 Kbytes Page：9 Pages	500VP-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseP-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andw	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
GV3P50	文件：179.25 Kbytes Page：8 Pages	Motorcircuitbreaker,TeSysGV3,3P,37-50A	SCHNEIDERSchneider electric 施耐德施耐德电气
K3P50D	文件：2.03255 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
KQD3P50	文件：63.69 Kbytes Page：2 Pages	500VP-ChannelMOSFET	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司
KSMD3P50	文件：1.28306 Mbytes Page：8 Pages	500VP-ChannelMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.
KSMU3P50	文件：1.28306 Mbytes Page：8 Pages	500VP-ChannelMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.
TK3P50D	文件：234.83 Kbytes Page：1 Pages	SwitchingVoltageRegulators	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝
TK3P50D	文件：333.25 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
TK3P50D	文件：1.07806 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司

详细参数

型号：
FQP3P50
功能描述：
MOSFET 500V P-Channel QFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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