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FQD3P20	文件：549.29 Kbytes Page：9 Pages	200VP-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseP-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQI3P20	文件：560.92 Kbytes Page：9 Pages	200VP-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseP-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQP3P20	文件：549.62 Kbytes Page：8 Pages	200VP-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseP-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproductusingFairchildsproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancetechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstan	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQPF3P20	文件：529.83 Kbytes Page：8 Pages	QFETP-CHANNEL FEATURES •AdvancedNewDesign •AvalancheRuggedTechnology •RuggedGateOxideTechnology •VeryLowIntrinsicCapacitances •ExcellentSwitchingCharacteristics •UnrivalledGateCharge:6.0nC(Typ.) •ExtendedSafeOperatingArea •LowerRDS(ON):2.06Ω(Typ.)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQT3P20	文件：650.5 Kbytes Page：8 Pages	200VP-ChannelMOSFET Description ThisP-ChannelenhancementmodepowerMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductor’sproprietaryplanarstripeandDMOStechnology.ThisadvancedMOSFETtechnologyhasbeenespeciallytailoredtoreduceon-stateresistance,andtoprovidesuperiorswitchingperformanceandhighav	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQT3P20TF	文件：1.97742 Mbytes Page：8 Pages	P-ChannelQFETMOSFET-200V,-0.67A,2.7 Description ThisP-ChannelenhancementmodepowerMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductor’sproprietaryplanarstripeandDMOStechnology.ThisadvancedMOSFETtechnologyhasbeenespeciallytailoredtoreduceon-stateresistance,andtoprovidesuperiorswitchingperformanceandhighav	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQU3P20	文件：549.29 Kbytes Page：9 Pages	200VP-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseP-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
KSMD3P20	文件：1.18788 Mbytes Page：8 Pages	200VP-ChannelMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
KSMU3P20	文件：1.18789 Mbytes Page：8 Pages	200VP-ChannelMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
MTD3P20	文件：345.03 Kbytes Page：2 Pages	iscP-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=-3A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=-200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=1.5Ω(Max) ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCconverter,	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

详细参数

型号：
FQB3P20TM
功能描述：
MOSFET 200V P-Channel QFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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