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FQD16N15	文件：730.22 Kbytes Page：9 Pages	150VN-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQI16N15	文件：748.65 Kbytes Page：9 Pages	150VN-ChannelMOSFET Features •16.4A,150V,RDS(on)=0.16Ω@VGS=10V •Lowgatecharge(typical23nC) •LowCrss(typical30pF) •Fastswitching •100avalanchetested •Improveddv/dtcapability •175°Cmaximumjunctiontemperaturerating	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQP16N15	文件：732.67 Kbytes Page：8 Pages	150VN-ChannelMOSFET 150VN-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQP16N15	文件：666.21 Kbytes Page：34 Pages	STEREO200WCLASS-TDIGITALAUDIOAMPLIFIERDRIVERUSINGDIGITALPOWERPROCESSINGTECHNOLOGY GENERALDESCRIPTION TheTK2150(TC2001/TP2150chipset)isatwo-channel,200W(6Ω)perchannelAmplifierDriverthatusesTripath’sproprietaryDigitalPowerProcessing(DPP™)technology.Class-TamplifiersofferboththeaudiofidelityofClass-ABandthepowerefficiencyofClass-Damplifiers. F	TRIPATH Tripath Technology Inc.	TRIPATH
FQP16N15	文件：302.54 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=16.4A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=150V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.16Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FQPF16N15	文件：278.2 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=11.6A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=150V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.16Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FQPF16N15	文件：722.88 Kbytes Page：8 Pages	150VNCHANNELMOSFET 150VN-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQU16N15	文件：730.22 Kbytes Page：9 Pages	150VN-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
KSMD16N15	文件：1.64286 Mbytes Page：8 Pages	150VN-CHANNELMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
KSMF16N15	文件：1.98988 Mbytes Page：7 Pages	150VN-CHANNELMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI

详细参数

型号：
FQB16N15TM
功能描述：
MOSFET 150V N-Channel QFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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