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FQB14N15TM

MOSFET N-CH 150V 14.4A D2PAK

ONSEMI

安森美半导体

FQD14N15

150V N-Channel MOSFET

150V N-Channel MOSFET

文件:777.63 Kbytes 页数:9 Pages

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

FQD14N15

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID=10A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS=150V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.21Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

文件:292.63 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

FQI14N15

150V N-Channel MOSFET

Features • 14A, 150V, RDS(on) = 0.21Ω @VGS = 10 V • Low gate charge ( typical 18 nC) • Low Crss ( typical 22 pF) • Fast switching • 100 avalanche tested • Improved dv/dt capability • 175°C maximum junction temperature rating

文件:788.26 Kbytes 页数:9 Pages

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

详细参数

  • 型号:

    FQB14N15TM

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH/150V/14.4A/0.21OHM

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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更多FQB14N15TM供应商 更新时间2025-10-6 16:01:00