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FQD14N15	文件：777.63 Kbytes Page：9 Pages	150VN-ChannelMOSFET 150VN-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQD14N15	文件：292.63 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=10A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=150V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.21Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FQI14N15	文件：788.26 Kbytes Page：9 Pages	150VN-ChannelMOSFET Features •14A,150V,RDS(on)=0.21Ω@VGS=10V •Lowgatecharge(typical18nC) •LowCrss(typical22pF) •Fastswitching •100avalanchetested •Improveddv/dtcapability •175°Cmaximumjunctiontemperaturerating	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQP14N15	文件：301.62 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=14.4A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=150V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.21Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FQP14N15	文件：772.35 Kbytes Page：8 Pages	150VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproductusingFairchildsproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancetechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstan	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQP14N15	文件：666.21 Kbytes Page：34 Pages	STEREO200WCLASS-TDIGITALAUDIOAMPLIFIERDRIVERUSINGDIGITALPOWERPROCESSINGTECHNOLOGY GENERALDESCRIPTION TheTK2150(TC2001/TP2150chipset)isatwo-channel,200W(6Ω)perchannelAmplifierDriverthatusesTripath’sproprietaryDigitalPowerProcessing(DPP™)technology.Class-TamplifiersofferboththeaudiofidelityofClass-ABandthepowerefficiencyofClass-Damplifiers. F	TRIPATH Tripath Technology Inc.	TRIPATH
FQPF14N15	文件：761.63 Kbytes Page：8 Pages	150VNCHANNELMOSFET 150VN-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQPF14N15	文件：278.21 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=9.8A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=150V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.21Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FQU14N15	文件：329.5 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=10A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=150V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.21Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FQU14N15	文件：777.63 Kbytes Page：9 Pages	150VN-ChannelMOSFET 150VN-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

详细参数

型号：
FQB14N15TM
功能描述：
MOSFET N-CH/150V/14.4A/0.21OHM
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市百诺芯科技有限公司	FQB14N15TM	FAIRCHILD/仙童	23+	D2-PAKTO-263	24190	原装正品代理渠道价格优势	询价
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