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IXZR18N50	文件：166.34 Kbytes Page：4 Pages	Z-MOSRFPowerMOSFET	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXZR18N50A	文件：166.34 Kbytes Page：4 Pages	Z-MOSRFPowerMOSFET	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXZR18N50B	文件：166.34 Kbytes Page：4 Pages	Z-MOSRFPowerMOSFET	IXYS IXYS Corporation	IXYS
JCS18N50FH	文件：1.19829 Mbytes Page：8 Pages	N-CHANNELMOSFET	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 华微电子吉林华微电子股份有限公司	JSMC
JCS18N50FH-O-F-N-B	文件：1.19829 Mbytes Page：8 Pages	N-CHANNELMOSFET	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 华微电子吉林华微电子股份有限公司	JSMC
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JCS18N50WH	文件：1.17361 Mbytes Page：8 Pages	N-CHANNELMOSFET	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 华微电子吉林华微电子股份有限公司	JSMC
JCS18N50WH-O-W-N-B	文件：1.17361 Mbytes Page：8 Pages	N-CHANNELMOSFET	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 华微电子吉林华微电子股份有限公司	JSMC
JMP18N50A	文件：261.068 Kbytes Page：7 Pages		JJWJieJie Microelectronics Co., Ltd. 捷捷微江苏捷捷微电子股份有限公司 PDF上传者：深圳市溢航科技有限公司	JJW
KIA18N50HF	文件：154.149 Kbytes Page：5 Pages	商品目录MOS(场效应管) 连续漏极电流（Id）（25°C时）18A(Tc) 漏源电压（Vdss）500V 栅源极阈值电压5V@250uA 漏源导通电阻320mΩ@9A,10V 类型N沟道最大功率耗散（Ta）38.5W(Tc)	KIAGuangdong Keyia Semiconductor Technology Co., Ltd 可易亚半导体广东可易亚半导体科技有限公司	KIA
MDF18N50	文件：832.23 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelMOSFET500V,18A,0.27(ohm)	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MDF18N50B	文件：1.25029 Mbytes Page：8 Pages	N-ChannelMOSFET500V,18.0A,0.27(ohm)	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MDF18N50BTH	文件：1.25029 Mbytes Page：8 Pages	N-ChannelMOSFET500V,18.0A,0.27(ohm)	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MDF18N50TH	文件：832.23 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelMOSFET500V,18A,0.27(ohm)	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
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MDP18N50BTH	文件：332.6 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=18A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.27Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MDP18N50TH	文件：1.12604 Mbytes Page：6 Pages	N-ChannelMOSFET500V,18.0A,0.27(ohm)	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MDP18N50TH	文件：332.58 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=18A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.27Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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