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FDS4559	文件：147.37 Kbytes Page：8 Pages	60V Complementary PowerTrench MOSFET GeneralDescription ThiscomplementaryMOSFETdeviceisproducedusingFairchild’sadvancedPowerTrenchprocessthathasbeenespeciallytailoredtominimizetheon-stateresistanceandyetmaintainlowgatechargeforsuperiorswitchingperformance. Features •Q1:N-Channel 4.5A,60V	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FDS4559_F085	文件：385.94 Kbytes Page：8 Pages	60V Complementary PowerTrench MOSFET GeneralDescription ThiscomplementaryMOSFETdeviceisproducedusingFairchild’sadvancedPowerTrenchprocessthathasbeenespeciallytailoredtominimizetheon-stateresistanceandyetmaintainlowgatechargeforsuperiorswitchingperformance. Features •Q1:N-Channel 4.5A,60V	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FDS4559_08	文件：385.94 Kbytes Page：8 Pages	60V Complementary PowerTrench?숸OSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FDS4559-NL	文件：1.18676 Mbytes Page：14 Pages	N- and P-Channel 60-V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
4559	文件：1.77742 Mbytes Page：148 Pages	SINGLE-CHIP4-BITCMOSMICROCOMPUTER	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
ACE4559P	文件：613.62 Kbytes Page：15 Pages	150mASingleCellLi-ionBatteryCharger,0.1mATermination,45nABatteryleakageCurrent	ACE ACE Technology Co., LTD.
AZ4559	文件：146.37 Kbytes Page：10 Pages	DUALBIPOLAROPERATIONALAMPLIFIERS	BCDSEMIBCD Semiconductor Manufacturing Limited 新进半导体上海新进半导体制造有限公司
AZ4559M	文件：146.37 Kbytes Page：10 Pages	DUALBIPOLAROPERATIONALAMPLIFIERS	BCDSEMIBCD Semiconductor Manufacturing Limited 新进半导体上海新进半导体制造有限公司
AZ4559MTR	文件：146.37 Kbytes Page：10 Pages	DUALBIPOLAROPERATIONALAMPLIFIERS	BCDSEMIBCD Semiconductor Manufacturing Limited 新进半导体上海新进半导体制造有限公司
AZ4559P	文件：146.37 Kbytes Page：10 Pages	DUALBIPOLAROPERATIONALAMPLIFIERS	BCDSEMIBCD Semiconductor Manufacturing Limited 新进半导体上海新进半导体制造有限公司
CHM4559JPT	文件：320.26 Kbytes Page：3 Pages	DualEnhancementModeFieldEffectTransistor N-channel:VOLTAGE60VoltsCURRENT4.5Ampere P-channel:VOLTAGE60VoltsCURRENT3.5Ampere FEATURE Smallflatpackage.(SO-8) SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Leadfreeproductisacquired. Highpowerandcurrenthandingcapability. APPLICATION *S	CHENMKOCHENMKO CHENMKO
CJQ4559	文件：1.60056 Mbytes Page：6 Pages	NChannelPChannelMosfet	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd
CTP4559	文件：60.1 Kbytes Page：1 Pages	ToroidalInductorsMediumCurrent	FILTRAN FILTRAN Group
FTK4559	文件：682.49 Kbytes Page：5 Pages	SuperHighDensityCellDesignforExtremelyLowRDS(ON)	FS First Silicon Co., Ltd
JRC4559	文件：56.4 Kbytes Page：2 Pages	DUALOPERATIONALAMPLIFIER?	NJRCNew Japan Radio 新日本无线株式会社
KDS4559	文件：78.86 Kbytes Page：3 Pages	60VComplementaryPowerTrenchMOSFET Features ●N-Channel 4.5A,60VRDS(ON)=55m@VGS=10V RDS(ON)=75m@VGS=4.5V ●P-Channel -3.5A,-60VRDS(ON)=105m@VGS=-10V RDS(ON)=135m@VGS=-4.5V	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司
KI4559EY	文件：58.16 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel60-V(D-S),175MOSFET	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司
KIA4559F	文件：92.9 Kbytes Page：4 Pages	BIPOLARLINEARINTEGRATEDCIRCUIT(DUALLOWNOISEOPERATIONALAMPLIFIER)	KECKEC CORPORATION KEC株式会社
KIA4559P	文件：92.9 Kbytes Page：4 Pages	BIPOLARLINEARINTEGRATEDCIRCUIT(DUALLOWNOISEOPERATIONALAMPLIFIER)	KECKEC CORPORATION KEC株式会社
KIA4559S	文件：92.9 Kbytes Page：4 Pages	BIPOLARLINEARINTEGRATEDCIRCUIT(DUALLOWNOISEOPERATIONALAMPLIFIER)	KECKEC CORPORATION KEC株式会社

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详细参数

型号：
FDS4559
功能描述：
MOSFET 60V/-60V N/P
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市坤融电子科技有限公司	FDS4559	FAIRCHILD/仙童	2019+全新原装正品	SOP8	8950	BOM配单专家,发货快,价格低	询价
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更多FDS4559供应商更新时间2024-4-24 16:36:00

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