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FDS4559	文件：147.37 Kbytes Page：8 Pages	60V Complementary PowerTrench MOSFET General Description This complementary MOSFET device is produced using Fairchild’s advanced PowerTrench process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance. Features • Q1: N-Channel 4.5 A, 60 V 文件：147.37 Kbytes 页数：8 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FDS4559	文件：300 bytes Page：1 Pages	60V，互补，PowerTrench® MOSFET 此互补MOSFET器件采用飞兆先进的PowerTrench工艺生产，这一先进工艺是专为最大程度地降低导通阻抗并保持低栅极电荷以获得卓越开关性能而定制的。 • Q1： N沟道\n• 4.5 A，60 V;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FDS4559_F085	文件：385.94 Kbytes Page：8 Pages	60V Complementary PowerTrench MOSFET General Description This complementary MOSFET device is produced using Fairchild’s advanced PowerTrench process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance. Features • Q1: N-Channel 4.5 A, 60 V 文件：385.94 Kbytes 页数：8 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FDS4559_08	文件：385.94 Kbytes Page：8 Pages	60V Complementary PowerTrench?숸OSFET 文件：385.94 Kbytes 页数：8 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FDS4559-NL	文件：1.18676 Mbytes Page：14 Pages	N- and P-Channel 60-V (D-S) MOSFET 文件：1.18676 Mbytes 页数：14 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
FDS4559_F085	文件：300 bytes Page：1 Pages	60V 互补 PowerTrench® MOSFET 此互补MOSFET器件采用飞兆先进的PowerTrench工艺生产，这一先进工艺是专为最大程度地降低导通阻抗并保持低栅极电荷以获得卓越开关性能而定制的。 •Q1：N沟道\n•4.5 A、60 V。\n•RDS(ON) = 105 mΩ @ VGS = -10 V\n•RDS(ON) = 135 mΩ @ VGS = -4.5 V;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Channel Polarity：
Complementary
Configuration：
Dual
V(BR)DSS Min (V)：
±60
VGS Max (V)：
±20
VGS(th) Max (V)：
±3
ID Max (A)：
N
PD Max (W)：
2
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：
N
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
N
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
15
Ciss Typ (pF)：
N
Package Type：
SOIC-8

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