60V Complementary PowerTrench MOSFET

General Description This complementary MOSFET device is produced using Fairchild’s advanced PowerTrench process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance. Features • Q1: N-Channel 4.5 A, 60 V

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Fairchild

仙童半导体

60V 互补 PowerTrench® MOSFET

此互补MOSFET器件采用飞兆先进的PowerTrench工艺生产，这一先进工艺是专为最大程度地降低导通阻抗并保持低栅极电荷以获得卓越开关性能而定制的。 •Q1：N沟道\n•4.5 A、60 V。\n•RDS(ON) = 105 mΩ @ VGS = -10 V\n•RDS(ON) = 135 mΩ @ VGS = -4.5 V;

ONSEMI

安森美半导体

SOP8

FSC

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SOP-8

Fairchild

仙童半导体

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SOP-8

FAIRCHILD/仙童

上传：深圳市源创芯科技有限公司