P-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM MOSFET

General Description This P-Channel 2.5V specified MOSFET is in a rugged gate version of Fairchild Semiconductors advanced PowerTrench® process. It has been optimized for power management applications with a wide range of gate drive voltage (2.5V - 12V). Features • –11 A, –20 V. RDS(ON) = 0.014

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FAIRCHILD

仙童半导体

P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET

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仙童半导体

P沟道2.5V额定PowerTrench® MOSFET

此P沟道2.5V额定MOSFET是采用飞兆半导体先进的PowerTrench®工艺生产的稳固栅极版本。 它已针对广泛栅极驱动电压(2.5V – 12V)的电源管理应用进行了优化。 •-11 A，-20 V。\n•RDS(ON) = 0.014 Ω @ VGS = -4.5 V\n•RDS(ON) = 0.020 Ω @ VGS = -2.5 V\n•扩展了VGSS范围(+-12V)，适合电池应用\n•低栅极电荷（典型值44 nC）\n•快速开关速度\n•高性能沟道技术可实现极低的RDS(on)\n•高功率和高电流处理能力\n•符合RoHS标准;

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安森美半导体

P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET

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