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FDR858P	文件：261.81 Kbytes Page：8 Pages	Single P-Channel, Logic Level, PowerTrenchTM MOSFET GeneralDescription TheSuperSOT-8familyofP-ChannelLogicLevelMOSFETshavebeendesignedtoprovidealowprofile,smallfootprintalternativetoindustrystandardSO-8littlefoottypeproduct. ThisP-ChannelLogicLevelMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductorsadvancedPowerTrenc	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
GBC858	文件：215.8 Kbytes Page：2 Pages	PNPEPITAXIALPLANARTRANSISTOR	GTMGTM CORPORATION 勤益投资控股勤益投资控股股份有限公司	GTM
GBC858	文件：217.57 Kbytes Page：2 Pages	TheGBC858isdesignedforswitchingandAFamplifierapplication,suitableforautomaticinsertioninthickandthin-filmcircuits	ETLE-Tech Electronics LTD 亚历电子亚历电子有限公司	ETL
GI858	文件：70.43 Kbytes Page：4 Pages	FastSwitchingPlasticRectifier FEATURES •Fastswitchingforhighefficiency •Lowforwardvoltagedrop •Lowleakagecurrent •Highforwardsurgecapability •Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 •ComplianttoRoHSdirective2002/95/ECandin accordancetoWEEE2002/96/EC TYPICALAPPLICATIONS Forusei	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
GI858	文件：44.67 Kbytes Page：2 Pages	FASTSWITCHINGPLASTICRECTIFIER FEATURES ♦PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-0 ♦Highsurgecurrentcapability ♦Fastswitchingforhighefficiency ♦Constructionutilizesvoid-freemoldedplastictechnique ♦Highforwardcurrentoperation ♦Hightemperaturesolderingguaranteed:2	GE GE Industrial Company	GE
GI858	文件：80.86 Kbytes Page：4 Pages	FastSwitchingPlasticRectifier FEATURES •Fastswitchingforhighefficiency •Lowforwardvoltagedrop •Lowleakagecurrent •Highforwardsurgecapability •Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 •Materialcategorization:Fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 TYPICALAPPLICATIONS	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
GSBC858	文件：147.28 Kbytes Page：2 Pages	PNPEPITAXIALPLANARTRANSISTOR	GTMGTM CORPORATION 勤益投资控股勤益投资控股股份有限公司	GTM
GSBC858	文件：149.47 Kbytes Page：2 Pages	PNPEPITAXIALPLANARTRANSISTOR	ETLE-Tech Electronics LTD 亚历电子亚历电子有限公司	ETL
HABC858	文件：431.6 Kbytes Page：5 Pages	GENERALPURPOSETRANSISTOR	HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd. 合科泰深圳市合科泰电子有限公司	HOTTECH
HBC858	文件：30.36 Kbytes Page：3 Pages	PNPEPITAXIALPLANARTRANSISTOR Description TheHBC858isdesignedforswitchingandAFamplifieramplificationsuitableforautomaticinsertioninthickandthin-filmcircuits.	HSMCHi-Sincerity Mocroelectronics 华昕华昕科技有限公司	HSMC

详细参数

型号：
FDR858P
功能描述：
MOSFET SSOT-8 P-CH -30V
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多FDR858P供应商更新时间2025-5-24 16:30:00

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