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FDS2170N3	文件：201.14 Kbytes Page：6 Pages	200V N-Channel PowerTrench??MOSFET General Description This N-Channel MOSFET has been designed specifically to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for “low side” synchronous rectifier operation, providing an extremely low RDS(O 文件：201.14 Kbytes 页数：6 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FDS2170N3	文件：300 bytes Page：1 Pages	200V N-Channel PowerTrench팜 MOSFET	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
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FDS4435BZ	文件：0 bytes Page：0 Pages	SO-8	MOSFET 上传：深圳市金嘉锐电子有限公司	MOSFET
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详细参数

型号：
FDS2170N3
功能描述：
MOSFET 200V NCh PowerTrench
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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