N 沟道，UItraFET Trench® MOSFET，250V，3.0A，117mΩ

此单 N 沟道 MOSFET 采用飞兆半导体公司先进的 UItraFET Trench® 工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越开关性能而定制的。 •最大 rDS(on) = 117 mΩ（VGS = 10 V、ID = 3.0 A）\n•最大 rDS(on) =126 mΩ（VGS = 6 V、ID = 2.8 A）\n•快速开关速度\n•高性能沟道技术可实现极低的 rDS(on)\n•高功率和高电流处理能力\n•符合 RoHS 标准;

ONSEMI

安森美半导体

N-Channel UItraFET Trench MOSFET 250V, 3.0A, 117mohm

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Fairchild

仙童半导体

Dual N-Ch Fast Switching MOSFETs

General Description The FKCC2734 is the low RDSON trenched N-CH MOSFETs with robust ESD protection. This product is suitable for Lithium-ion battery pack applications. The FKCC2734 meet the RoHS and Green Product requirement with full function reliability approved.

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FETEK

台湾东沅

NPN (MIXER, OSC. FOR UHF TV TUNER)

MIXER, OSC. FOR UHF TV TUNER

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Samsung

三星

Plug-in Signal Conditioners K-UNIT

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MSYSTEM

爱模