N-Channel PowerTrench MOSFET 100V, 4.5A, 62m?

Dual N-Channel PowerTrench® MOSFET 100V, 4.5A, 62mΩ Features • rDS(ON)= 54mΩ(Typ.), VGS = 10V, ID= 4.5A • Qg(tot) = 11nC (Typ.), VGS = 10V • Low Miller Charge • Low QRRBody Diode • Optimized efficiency at high frequencies • UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse)

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仙童半导体

Dual N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 100V, 4.5A, 62m?

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分立式商用N沟道PowerTrench MOSFET，100V，4.5A，0.062 Ohms @ VGS = 10V，SO-8封装

Dual N-Channel PowerTrench® MOSFET 100V, 4.5A, 62mΩ •rDS(ON) = 54mΩ （典型值），VGS = 10V，ID = 4.5A\n•Qg(tot) = 11nC （典型值），VGS = 10V\n•低米勒电荷\n•低Qrr体二极管\n•优化高频率时的效率\n•UIS能力（单脉冲和重复脉冲）以前的开发类型82745\n•Formerly developmental type 82745;

ONSEMI

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