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FDS3670	文件：204.16 Kbytes Page：8 Pages	100V N-Channel PowerTrench??MOSFET General Description This N-Channel MOSFET has been designed specifically to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. These MOSFETs feature faster switching and lower gate charge than other MOSFETs with comparable RDS(O 文件：204.16 Kbytes 页数：8 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDS3670	文件：85.62 Kbytes Page：5 Pages	100V N-Channel PowerTrench MOSFET 文件：85.62 Kbytes 页数：5 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDS3670	文件：85.88 Kbytes Page：12 Pages	Power Converter Topology and MOSFET Selection for 48-V Telecom 文件：85.88 Kbytes 页数：12 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDS3670	文件：300 bytes Page：1 Pages	100V N-Channel PowerTrench™ MOSFET	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FDS3670-TP	文件：2.94475 Mbytes Page：5 Pages	N-Channel 100-V (D-S) MOSFET Application \| « LED Backiighting « Synchronous Rectifiers for SMPS. » Power management « PWM Application \| 文件：2.94475 Mbytes 页数：5 Pages	TECHPUBLIC 台舟电子	TECHPUBLIC
FDS3670_0011	文件：85.62 Kbytes Page：5 Pages	100V N-Channel PowerTrench MOSFET 文件：85.62 Kbytes 页数：5 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

详细参数

型号：
FDS3670
功能描述：
MOSFET SO-8 N-CH 100V
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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