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FDS3680	文件：202.52 Kbytes Page：8 Pages	100V N-Channel PowerTrench MOSFET General Description This N-Channel MOSFET has been designed specifically to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. Features • 5.2 A, 100 V. RDS(ON) = 46 mΩ @ VGS = 10 V RDS(ON) = 51 mΩ 文件：202.52 Kbytes 页数：8 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FDS3680	文件：84.79 Kbytes Page：5 Pages	100V N-Channel PowerTrench MOSFET 文件：84.79 Kbytes 页数：5 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FDS3680	文件：300 bytes Page：1 Pages	100V N-Channel PowerTrench MOSFET	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FDS3680_0011	文件：84.79 Kbytes Page：5 Pages	100V N-Channel PowerTrench MOSFET 文件：84.79 Kbytes 页数：5 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD

详细参数

型号：
FDS3680
功能描述：
MOSFET SO-8 N-CH 100V
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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