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FDS4672A

40V N-Channel PowerTrench MOSFET

General Description This N-Channel MOSFET has been designed specifically to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for low gate charge, low RDS(ON)and fast switching speed. Features

文件:88.06 Kbytes 页数:5 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

FDS4672A

40V N-Channel PowerTrench짰 MOSFET

文件:454.79 Kbytes 页数:6 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

FDS4672A_07

40V N-Channel PowerTrench짰 MOSFET

文件:454.79 Kbytes 页数:6 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

FDS4672A-NL

N-Channel 100-V (D-S) MOSFET

文件:988.6 Kbytes 页数:8 Pages

VBSEMI

微碧半导体

FDS4672A

N 沟道,PowerTrench® MOSFET,40V,11A,13mΩ

此N沟道MOSFET是专为使用同步或传统开关PWM控制器来改进DC/DC转换器整体功效而设计的。 已针对低栅极电荷、低rDS(ON) 和高速开关进行了优化。 •11 A,40 V\n•RDS(ON) = 13 mΩ @ VGS = 4.5 V\n•高性能沟道技术可实现极低的RDS(ON)\n•低栅极电荷(35nC,典型值)\n•高功率和高电流处理能力;

ONSEMI

安森美半导体

技术参数

  • Pb-free:

    Pb

  • Halide free:

    H

  • Status:

    Active

  • Channel Polarity:

    N-Channel

  • Configuration:

    Single

  • V(BR)DSS Min (V):

    40

  • VGS Max (V):

    ±20

  • VGS(th) Max (V):

    2

  • ID Max (A):

    11

  • PD Max (W):

    2.5

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ):

    13

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC):

    35

  • Ciss Typ (pF):

    4766

  • Package Type:

    SOIC-8

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更多FDS4672A供应商 更新时间2026-4-17 18:03:00