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GBJ3512	文件：598.99 Kbytes Page：3 Pages	GlassPassivatedSingle-PhaseBridgeRectifier	NELLSEMINell Semiconductor Co., Ltd 尼尔半导体尼尔半导体股份有限公司	NELLSEMI
GBJ3512H	文件：595.57 Kbytes Page：3 Pages	GlassPassivatedSingle-PhaseBridgeRectifier	NELLSEMINell Semiconductor Co., Ltd 尼尔半导体尼尔半导体股份有限公司	NELLSEMI
GBPC3512	文件：60.15 Kbytes Page：4 Pages	35AGLASSPASSIVATEDSINGLE-PHASEBRIDGERECTIFIER Features •GlassPassivatedDieConstruction •LowReverseLeakageCurrent •LowPowerLoss,HighEfficiency •ElectricallyIsolatedEpoxyCaseforMaximumHeatDissipation •CasetoTerminalIsolationVoltage2500V •RecognizedFile#E157705	WTEWon-Top Electronics 毅星電子毅星电子股份有限公司	WTE
GBPC3512	文件：270.15 Kbytes Page：6 Pages	SINGLEPHASEBRIDGE Description Arangeofextremelycompact,encapsulatedsinglephasebridgerectifiersofferingefficientandreliableoperation.Theyareintendedforuseingeneralpurposeandinstrumentationapplications. Features ■Universal,3wayterminals:push-on,wraparoundorsolder ■Highthermalc	IRF International Rectifier	IRF
GBPC3512	文件：462.03 Kbytes Page：3 Pages	35AGLASSPASSIVATEDBRIDGERECTIFIER FEATURES •ULRecognitionfilenumberE54214 •Universal3-wayterminals:snap-on,wirewrap-around,orP.C.B.mounting •TypicalIRlessthan0.3µA •Highsurgecurrentcapability •Lowthermalresistance •SolderDip260°C,40seconds •ComponentinaccordancetoRoHS2002/95/ECandWEE	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司	YFWDIODE
GBPC3512	文件：7.3659 Mbytes Page：2 Pages	35AGLASSPASSIVATEDSINGLE-PHASEBRIDGERECTIFIER Features ●GlassPassivatedDieConstruction ●LowReverseLeakageCurrent ●LowPowerLoss,HighEfficiency ●ElectricallyIsolatedEpoxyCaseforMaximumHeatDissipation ●CasetoTerminalIsolationVoltage2500V	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
GBPC3512	文件：679.49 Kbytes Page：4 Pages	GlassPassivatedSingle-PhaseBridgeRectifier	NELLSEMINell Semiconductor Co., Ltd 尼尔半导体尼尔半导体股份有限公司	NELLSEMI
GBPC3512	文件：56.84 Kbytes Page：4 Pages	35AGLASSPASSIVATEDSINGLEPHASEBRIDGERECTIFIER GlassPassivatedDieConstruction LowReverseLeakageCurrent LowPowerLoss,HighEfficiency HeatsinkIntegratedEpoxyCasefor MaximumHeatDissipation LowThermalResistance HighSurgeCurrentCapability RecognizedFile#E157705	WTEWon-Top Electronics 毅星電子毅星电子股份有限公司	WTE
GBPC3512A	文件：270.15 Kbytes Page：6 Pages	SINGLEPHASEBRIDGE Description Arangeofextremelycompact,encapsulatedsinglephasebridgerectifiersofferingefficientandreliableoperation.Theyareintendedforuseingeneralpurposeandinstrumentationapplications. Features ■Universal,3wayterminals:push-on,wraparoundorsolder ■Highthermalc	IRF International Rectifier	IRF
GBPC3512A	文件：129.66 Kbytes Page：7 Pages	SinglePhaseBridge(PowerModules),25/35A FEATURES •ULrecognitionfilenumberE54214 •Universal3-wayterminals:snap-on,wirewrap-around,orP.C.B.mounting •TypicalIRlessthan0.3µA •Highsurgecurrentcapability •Lowthermalresistance •Solderdip260°C,40s •ComponentinaccordancetoRoHS2002/95/ECandWEEE2002	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

详细参数

型号：
FDS3512_Q
功能描述：
MOSFET SO-8
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多FDS3512_Q供应商更新时间2025-5-22 11:00:00

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