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K3572	文件：890.54 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel20-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
KTC3572	文件：60.12 Kbytes Page：3 Pages	EPITAXIALPLANARNPNTRANSISTOR FEATURE LowCollector-EmitterSaturationVoltageVCE(sat). HighCollectorCurrentCapability:ICandICP. HigherEfficiencyLeadingtoLessHeatGeneration.	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
LT3572	文件：161.46 Kbytes Page：12 Pages	DualFull-BridgePiezoDriverwith900mABoostConverter	LINERLinear Technology 凌力尔特凌特半导体	LINER
LT3572	文件：160.02 Kbytes Page：12 Pages	DualFull-BridgePiezoDriverwith900mABoostConverter	LINERLinear Technology 凌力尔特凌特半导体	LINER
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OEN3572	文件：479.29 Kbytes Page：2 Pages	AUTOMOTIVEPOWERRELAY	OENINDIA OEN India Limited	OENINDIA
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详细参数

型号：
FDS3572_Q
功能描述：
MOSFET 80V N-Channel PowerTrench
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多FDS3572_Q供应商更新时间2025-7-28 11:00:00

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