丝印：JCS18N50WH；Package：TO-247；N- CHANNEL MOSFET

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JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

华微电子吉林华微电子股份有限公司

商品目录 MOS(场效应管) 连续漏极电流（Id）（25°C 时） 18A(Tc) 漏源电压（Vdss） 500V 栅源极阈值电压 5V @ 250uA 漏源导通电阻 320 mΩ @ 9A,10V 类型 N 沟道 最大功率耗散（Ta） 38.5W(Tc)

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KIA

可易亚半导体

N-Channel MOSFET 500V, 18 A, 0.27(ohm)

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MGCHIP

N-Channel MOSFET 500V, 18.0 A, 0.27(ohm)

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