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MDP18N50TH	文件：332.58 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 18A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 500V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.27Ω(Max) @VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-D 文件：332.58 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
MDP18N50TH	文件：1.12604 Mbytes Page：6 Pages	N-Channel MOSFET 500V, 18.0 A, 0.27(ohm) 文件：1.12604 Mbytes 页数：6 Pages	MGCHIP	MGCHIP
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MDQ18N50G	文件：975.71 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel MOSFET 500V, 20.0A, 0.27(ohm) 文件：975.71 Kbytes 页数：6 Pages	MGCHIP	MGCHIP
MDQ18N50GTH	文件：975.71 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel MOSFET 500V, 20.0A, 0.27(ohm) 文件：975.71 Kbytes 页数：6 Pages	MGCHIP	MGCHIP
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