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MGF1801	文件：23.06 Kbytes Page：3 Pages	MICROWAVE POWER GaAs FET DESCRIPTION The MGF1801B, medium-power GaAs FET with an N-channel Schottky gate, is designed for use in S to X band amplifiers and oscillators. The hermetically sealed metalceramic package assures minimum parasitic losses, and has a configuration suitable for microstrip circuits. FEATURES • Hig 文件：23.06 Kbytes 页数：3 Pages	MITSUBISHI 三菱电机	MITSUBISHI
MGF1801	文件：121.25 Kbytes Page：3 Pages	TAPE CARRIER MICROWAVE POWER GaAs FET? 文件：121.25 Kbytes 页数：3 Pages	MITSUBISHI 三菱电机	MITSUBISHI
MGF1801	文件：300 bytes Page：1 Pages	TAPE CARRIER MICROWAVE POWER GaAs FET	MITSUBISHI 三菱电机	MITSUBISHI
MGF1801B	文件：23.06 Kbytes Page：3 Pages	MICROWAVE POWER GaAs FET DESCRIPTION The MGF1801B, medium-power GaAs FET with an N-channel Schottky gate, is designed for use in S to X band amplifiers and oscillators. The hermetically sealed metalceramic package assures minimum parasitic losses, and has a configuration suitable for microstrip circuits. FEATURES • Hig 文件：23.06 Kbytes 页数：3 Pages	MITSUBISHI 三菱电机	MITSUBISHI
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MGF1801B	文件：180.2 Kbytes Page：4 Pages	MICROWAVE POWER GaAs FET 文件：180.2 Kbytes 页数：4 Pages	MITSUBISHI 三菱电机	MITSUBISHI
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MGF1801BT	文件：334.02 Kbytes Page：4 Pages	TAPE CARRIER MICROWAVE POWER GaAs FET? 文件：334.02 Kbytes 页数：4 Pages	MITSUBISHI 三菱电机	MITSUBISHI
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详细参数

型号：
MGF1801
制造商：
MITSUBISHI
制造商全称：
Mitsubishi Electric Semiconductor
功能描述：
MICROWAVE POWER GaAs FET

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