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MGF4953B	文件：119.6 Kbytes Page：5 Pages	SUPER LOW NOISE InGaAs HEMT Leadless Ceramic Package DESCRIPTION TheMGF4953Bsuper-lownoiseHEMT(HighElectronMobilityTransistor)isdesignedforuseinKbandamplifiers. Thelead-lessceramicpackageassuresminimumparasiticlosses. FEATURES Lownoisefigure@f=20GHz NFmin.=0.55dB(Typ.) Highassociatedgain@f=20GHz	MitsubishiMitsubishi Electric Semiconductor 三菱电机三菱电机株式会社	Mitsubishi
MGF4953B_11	文件：159.83 Kbytes Page：6 Pages	Low Noise GaAs HEMT	MitsubishiMitsubishi Electric Semiconductor 三菱电机三菱电机株式会社	Mitsubishi
MI4953	文件：1.05563 Mbytes Page：9 Pages	DualP-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
MSC4953W	文件：570.82 Kbytes Page：6 Pages	-30V(D-S)DualP-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	MORESEMIMORE Semiconductor Company Limited 摩矽半导体摩矽半导体有限公司	MORESEMI
MSI4953	文件：1.05538 Mbytes Page：9 Pages	DualP-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
MT4953ACTR	文件：1.05535 Mbytes Page：9 Pages	DualP-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
NCE4953	文件：314.09 Kbytes Page：7 Pages	NCEP-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 无锡新洁能股份无锡新洁能股份有限公司	NCEPOWER
NCE4953	文件：1.05895 Mbytes Page：9 Pages	DualP-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
NCE4953A	文件：369.9 Kbytes Page：7 Pages	NCEP-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 无锡新洁能股份无锡新洁能股份有限公司	NCEPOWER
NCE4953A	文件：1.05507 Mbytes Page：9 Pages	DualP-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

详细参数

型号：
MGF4953B
制造商：
MITSUBISHI
制造商全称：
Mitsubishi Electric Semiconductor
功能描述：
SUPER LOW NOISE InGaAs HEMT Leadless Ceramic Package

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更多MGF4953B供应商更新时间2025-7-23 18:10:00

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