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MGF4953B	文件：119.6 Kbytes Page：5 Pages	SUPER LOW NOISE InGaAs HEMT Leadless Ceramic Package DESCRIPTION The MGF4953B super-low noise HEMT (High Electron Mobility Transistor) is designed for use in K band amplifiers. The lead-less ceramic package assures minimum parasitic losses. FEATURES Low noise figure @ f=20GHz NFmin. = 0.55dB (Typ.) High associated gain @ f=20GHz 文件：119.6 Kbytes 页数：5 Pages	Mitsubishi 三菱电机	Mitsubishi
MGF4953B_11	文件：159.83 Kbytes Page：6 Pages	Low Noise GaAs HEMT 文件：159.83 Kbytes 页数：6 Pages	Mitsubishi 三菱电机	Mitsubishi
MGF4953B	文件：300 bytes Page：1 Pages	High Frequency Devices-GaAs High Frequency Devices Low Noise GaAs HEMTs MGF4953B	MITSUBISHI 三菱电机	MITSUBISHI
MI4953	文件：1.05563 Mbytes Page：9 Pages	Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：1.05563 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
MSC4953W	文件：570.82 Kbytes Page：6 Pages	-30V(D-S) Dual P-Channel Enhancement Mode Power MOS FET 文件：570.82 Kbytes 页数：6 Pages	MORESEMI 摩矽半导体	MORESEMI
MSI4953	文件：1.05538 Mbytes Page：9 Pages	Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：1.05538 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多MGF4953B供应商更新时间2025-11-30 14:13:00