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SI4953ADY	文件：65.47 Kbytes Page：4 Pages	Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFETs • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 文件：65.47 Kbytes 页数：4 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
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SI4953ADY	文件：208.13 Kbytes Page：4 Pages	Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：208.13 Kbytes 页数：4 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
SI4953ADY	文件：1.5212 Mbytes Page：5 Pages	丝印：4953A；Package：SOP-8；Dual P-Channel MOSFET 文件：1.5212 Mbytes 页数：5 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
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SI4953ADY_06	文件：208.13 Kbytes Page：4 Pages	Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：208.13 Kbytes 页数：4 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
SI4953ADY-HF	文件：1.52601 Mbytes Page：5 Pages	丝印：4953A；Package：SOP-8；Dual P-Channel MOSFET 文件：1.52601 Mbytes 页数：5 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
SI4953ADY-T1-E3	文件：1.05591 Mbytes Page：9 Pages	Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：1.05591 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
Si4953ADY	文件：300 bytes Page：1 Pages	30-V (D-S) Dual	Vishay 威世	Vishay

详细参数

型号：
SI4953ADY
功能描述：
MOSFET 30V 4.9A 2W
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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