MGF1801中文资料三菱电机数据手册PDF规格书
MGF1801规格书详情
DESCRIPTION
The MGF1801B, medium-power GaAs FET with an N-channel Schottky gate, is designed for use in S to X band amplifiers and oscillators. The hermetically sealed metalceramic package assures minimum parasitic losses, and has a configuration suitable for microstrip circuits.
FEATURES
• High output power at 1dB gain compression
P1dB=23dBm(TYP.) @f=8GHz
• High linear power gain
GLP=9dB(TYP.) @f=8GHz
• High reliability and stability
APPLICATION
S to X band medium-power amplifiers and oscillators.
产品属性
- 型号：
MGF1801
- 制造商：
MITSUBISHI
- 制造商全称：
Mitsubishi Electric Semiconductor
- 功能描述：
MICROWAVE POWER GaAs FET
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
MITSUBISHI/三菱 |
24+ |
295 |
现货供应 |
询价 | |||
MIT |
23+ |
N/A |
8650 |
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询价 | ||
MITSUBISHI |
23+ |
NA |
3500 |
全新原装假一赔十 |
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MITSUBISHI |
17+ |
假一赔十 |
994 |
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询价 | ||
MITSUBISH |
23+ |
高频管 |
1280 |
询价 | |||
MITSUBISH |
24+ |
SMD |
5000 |
MITSUBISH专营品牌原装正品假一罚十 |
询价 | ||
MITSUBISHI/三菱 |
2450+ |
GD-24 |
6540 |
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MIT |
1500 |
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MITSUBIS |
25+ |
GD-10 |
5000 |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
询价 | ||
MIT |
2023+ |
14 |
询价 |
