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MGF1601B规格书详情
High-power GaAs FET (small signal gain stage)
S to X BAND / 0.15W non - matched
DESCRIPTION
The MGF1601B, medium-power GaAs FET with an N-channel Schottky gate, is designed for use in S to X band amplifiers and oscillators. The hermetically sealed metalceramic package assures minimum parasitic lasses, and has a configuration suitable for microstrip circuits.
FEATURES
High linear power gain
Glp=8.0dB @f=8GHz
High P1dB
P1dB=21.8dBm(TYP.) @f=8GHz
APPLICATION
S to X Band medium-power amplifiers and oscillators
产品属性
- 型号：
MGF1601B
- 制造商：
MITSUBISHI
- 制造商全称：
Mitsubishi Electric Semiconductor
- 功能描述：
High-power GaAs FET(small signal gain stage)
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
QORVO |
24+ |
SMD |
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MITSUBIS |
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GD-10 |
3000 |
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MIT |
2020+ |
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MITSUBISHI |
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24+ |
GD-10 |
2600 |
原装现货假一赔十 |
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MITSUBISHI/三菱 |
23+ |
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询价 |
