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MGF0911A	文件：23 Kbytes Page：3 Pages	L, S BAND POWER GaAs FET DESCRIPTION TheMGF0911A,GaAsFETwithanN-channelschottkygate,isdesignedforuseinUHFbandamplifiers. FEATURES •ClassAoperation •Highoutputpower P1dB=41.0dBm(TYP.)@f=2.3GHz •Highpowergain GLP=11.0dB(TYP.)@f=2.3GHz •Highpoweraddedefficiency P.A.E=40(TY	MitsubishiMitsubishi Electric Semiconductor 三菱电机三菱电机株式会社	Mitsubishi
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SPNA0911B	文件：976.56 Kbytes Page：2 Pages	Pushbuttonswitch,sideactuation,illumination	APEX-ELECTRONICS Apex Electronics Co., Ltd	APEX-ELECTRONICS

详细参数

型号：
MGF0911A
制造商：
MITSUBISHI
制造商全称：
Mitsubishi Electric Semiconductor
功能描述：
L, S BAND POWER GaAs FET

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多MGF0911A供应商更新时间2025-6-14 16:04:00

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