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MGF0911A	文件：23 Kbytes Page：3 Pages	L, S BAND POWER GaAs FET DESCRIPTION The MGF0911A, GaAs FET with an N-channel schottky gate, is designed for use in UHF band amplifiers. FEATURES • Class A operation • High output power P1dB=41.0dBm(TYP.) @f=2.3GHz • High power gain GLP=11.0dB(TYP.) @f=2.3GHz • High power added efficiency P.A.E =40(TY 文件：23 Kbytes 页数：3 Pages	MITSUBISHI 三菱电机	MITSUBISHI
MGF0911A	文件：36.78 Kbytes Page：4 Pages	L, S BAND POWER GaAs FET 文件：36.78 Kbytes 页数：4 Pages	MITSUBISHI 三菱电机	MITSUBISHI
MGF0911A	文件：216.7 Kbytes Page：4 Pages	High-power GaAs FET (small signal gain stage) 文件：216.7 Kbytes 页数：4 Pages	MITSUBISHI 三菱电机	MITSUBISHI
MGF0911A_1	文件：36.78 Kbytes Page：4 Pages	L, S BAND POWER GaAs FET 文件：36.78 Kbytes 页数：4 Pages	MITSUBISHI 三菱电机	MITSUBISHI
MGF0911A_11	文件：216.7 Kbytes Page：4 Pages	High-power GaAs FET (small signal gain stage) 文件：216.7 Kbytes 页数：4 Pages	MITSUBISHI 三菱电机	MITSUBISHI
MGF0911A	文件：300 bytes Page：1 Pages	L, S BAND POWER GaAs FET	MITSUBISHI 三菱电机	MITSUBISHI

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