L & S BAND GaAs FET [ SMD non matched ]

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Mitsubishi

三菱电机

L & S BAND GaAs FET [ SMD non - matched ]

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High-power GaAs FET (small signal gain stage)

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L & S BAND GaAs FET [ SMD non - matched ]

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High-power GaAs FET (small signal gain stage)

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High-power GaAs FET (small signal gain stage)

DESCRIPTION\nThe MGF0919A GaAs FET with an N-channel schottky Gate, is designed for use UHF band amplifiers.FEATURES\nHigh output power \n  Po=30dBm(TYP.) @f=1.9GHz,Pin=12dBm\nHigh power gain\n  Gp=19dB(TYP.) @f=1.9GHz\nHigh power added efficiency\n  add=37%(TYP.) @f=1.9GHz,Pin=12dBm\nHermetic P High output power \n  Po=30dBm(TYP.) @f=1.9GHz,Pin=12dBm\nHigh power gain\n  Gp=19dB(TYP.) @f=1.9GHz\nHigh power added efficiency\n  add=37%(TYP.) @f=1.9GHz,Pin=12dBm\nHermetic PackageAPPLICATION\nFor UHF Band power amplifiers ;

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