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MGF1402B	文件：360.95 Kbytes Page：6 Pages	LOW NOISE GaAs FET DESCRIPTION TheMGF1402Bisalow-noiseGaAsFETwithanN-channelSchottkygate,whichisdesignedforuseinStoXbandamplifiersandoscillators.Thehermeticallysealedmetal-ceramicpackageassuresminimumparasiticlosses,andhasaconfigurationsuitableformicrostripcircuits. FEATURE	MitsubishiMitsubishi Electric Semiconductor 三菱电机三菱电机株式会社	Mitsubishi
MGF1402B	文件：300 bytes Page：1 Pages	低噪声GaAs FET	MITSUBISHIMitsubishi Electric Semiconductor 三菱电机三菱电机株式会社	MITSUBISHI
MGF1402B	文件：141.77 Kbytes Page：5 Pages	LOW NOISE GaAs FET	MITSUMIMitsumi Electronics, Corp. 三美三美电机株式会社	MITSUMI
MMBD1402	文件：96.67 Kbytes Page：1 Pages	SURFACEMOUNTSWITCHINGDIODES Case:SOT-23MoldedPlastic OperatingTemperature:-65°Cto150°C	JGDJinan Gude Electronic Device 济南固锝电子济南固锝电子器件有限公司	JGD
MS1402	文件：61.25 Kbytes Page：4 Pages	RF&MICROWAVETRANSISTORS DESCRIPTION TheMS1402isa12.5VClassCepitaxialsiliconNPNplanartransistordesignedprimarilyforUHFcommunications.ThisdeviceutilizesimprovedmetallizationtoachieveinfiniteVSWRatratedoperatingconditions. KEYFEATURES ◾450-512MHz ◾12.5Volts ◾Efficiency55 ◾POUT=	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
MS1402	文件：90.34 Kbytes Page：3 Pages	RFANDMICROWAVETRANSISTORSUHFMOBILEAPPLICATIONS DESCRIPTION: TheMS1402isa12.5VClassCepitaxialsiliconNPNplanartransistordesignedprimarilyforUHFcommunications.ThisdeviceutilizesimprovedmetallizationtoachieveinfiniteVSWRatratedoperatingconditions. Features •450-512MHz •12.5Volts •Efficiency55 •POUT=2.	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW

技术参数

Noise Figure(dB)：
3.0
Associated Gain(dB)：
8.0
Frequency(GHz)：
12.0
Drain-Source Voltage(V)：
3.0
Drain Current(mA)：
10.0
S-parameter：
mgf1402b.s2p
Remarks：
G

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