MS1402分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
MS1402 |
| 参数属性 | MS1402 封装/外壳为M122；包装为散装；类别为分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频；产品描述：RF TRANS NPN 16V 512MHZ M122 |
| 功能描述 | RF & MICROWAVE TRANSISTORS |
| 封装外壳 | M122 |
| 文件大小 |
61.25 Kbytes |
| 页面数量 |
4 页 |
| 生产厂商 | MICROSEMI |
| 中文名称 | 美高森美 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2026-1-31 18:18:00 |
| 人工找货 | MS1402价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
MS1402规格书详情
MS1402属于分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频。由美高森美半导体公司制造生产的MS1402晶体管 - 双极（BJT）- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件，用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP，特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。
DESCRIPTION
The MS1402 is a 12.5 V Class C epitaxial silicon NPN planar transistor designed primarily for UHF communications. This device utilizes improved metallization to achieve infinite VSWR at rated operating conditions.
KEY FEATURES
◾ 450 - 512 MHz
◾ 12.5 Volts
◾ Efficiency 55
◾ POUT = 2.0 W Min.
◾ GP = 10.0 dB Gain
APPLICATIONS/BENEFITS
◾ UHF Mobile Applications
产品属性
更多- 产品编号：
MS1402
- 制造商：
Microsemi Corporation
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
- 包装：
散装
- 晶体管类型：
NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
16V
- 频率 - 跃迁：
450MHz ~ 512MHz
- 增益：
10dB
- 功率 - 最大值：
5W
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
20 @ 100mA，5V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
750mA
- 工作温度：
200°C（TJ）
- 安装类型：
底座安装
- 封装/外壳：
M122
- 供应商器件封装：
M122
- 描述：
RF TRANS NPN 16V 512MHZ M122
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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