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MGF0919A数据手册MinebeaMitsumi中文资料规格书

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厂商型号

MGF0919A

功能描述

High-power GaAs FET (small signal gain stage)

制造商

MinebeaMitsumi MinebeaMitsumi Inc.

中文名称

美蓓亚三美 美蓓亚三美株式会社

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-6 9:34:00

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MGF0919A规格书详情

描述 Description

DESCRIPTION
The MGF0919A GaAs FET with an N-channel schottky Gate, is designed for use UHF band amplifiers.FEATURES
High output power 
  Po=30dBm(TYP.) @f=1.9GHz,Pin=12dBm
High power gain
  Gp=19dB(TYP.) @f=1.9GHz
High power added efficiency
  add=37%(TYP.) @f=1.9GHz,Pin=12dBm
Hermetic PackageAPPLICATION
For UHF Band power amplifiers

特性 Features

High output power 
  Po=30dBm(TYP.) @f=1.9GHz,Pin=12dBm
High power gain
  Gp=19dB(TYP.) @f=1.9GHz
High power added efficiency
  add=37%(TYP.) @f=1.9GHz,Pin=12dBm
Hermetic PackageAPPLICATION
For UHF Band power amplifiers 

技术参数

  • 型号:

    MGF0919A

  • 制造商:

    MITSUBISHI

  • 制造商全称:

    Mitsubishi Electric Semiconductor

  • 功能描述:

    L & S BAND GaAs FET [ SMD non - matched ]

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
MITSUBISHI
2017+
SMD
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MIT
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QFN
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M/A-COM专营品牌绝对进口原装假一赔十
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MITSUBISHI
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QFN
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一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
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MITSUBISHI
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